传台积电N3E工艺进展顺利 量产节点提前
其他信息还包括：N3E工艺试产良率远高于N3B，在减少4层EUV掩膜的情况下，逻辑电路密度仅较原先的N3工艺下降8%，较5纳米节点仍有60%的提升。
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