三星正准备量产第8代V-NAND闪存 持续改进存储密度与传输性能
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除了台式机和笔记本电脑，智能手机也有望迎来基于最新一代 V-NAND 的 UFS 3.1（以及最新的 UFS 4.0）标准的高速闪存。
不过想要堆砌更多层的 3D-NAND 也并非易事，尽管三星早在 2013 年就率先发布了初代 V-NAND，但实际推行仍相当谨慎。
于是在突破 200 层大关的时候，三星分别被美光（232L）和 SK 海力士（238L）给反超。
直到去年提供超过 200 层的 V-NAND 闪存样品，三星才逐渐积累了所需的先验知识。
虽然我们尚未知晓三星第 8 代 V-NAND 的确切规格参数，但新一代产品势必会带来性能与密度的大幅提升。
作为参考，美光声称其 232 层 NAND 可实现单颗 2TB 容量，以及 11.68 GB/s 读取和 10 GB/s 的写入速度。
在将上述特性缩放到一张邮票大小的芯片上的同时，整体读取延迟也有所改进，意味着传输速度的继续提升。
最后，随着AMD锐龙 7000 和英特尔Raptor Lake 平台即将上市，相信三星页会很快向客户交付更大容量 @ 10+ GB/s 速率的固态驱动器。
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